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科技進(jìn)展
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  近日,中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所催化基礎(chǔ)國家重點實驗室、潔凈能源國家實驗室(籌)李燦院士團隊在硅基半導(dǎo)體材料用于光電化學(xué)分解水的光陽極研究中取得新進(jìn)展,發(fā)現(xiàn)了單晶硅基光電極中的界面施主態(tài)缺陷能級是制約光電極效率的因素之一,成功對異質(zhì)結(jié)的界面能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了精細(xì)調(diào)控,有效提高光電極的電荷分離及水氧化效率。相關(guān)研究結(jié)果以全文的形式發(fā)表在《美國化學(xué)會會志》上(Tingting Yao, Can Li, et al, J. Am. Chem. Soc., 2016, DOI: 10.1021/jacs.6b07188)。 

  太陽能催化水分解反應(yīng)是未來解決能源問題和環(huán)境污染的理想途徑之一。半導(dǎo)體基光(電)催化劑中,光生載流子被有效分離和遷移至光催化劑表面參與水分解反應(yīng),是提高光催化效率的關(guān)鍵。我所李燦團隊長期致力于解決這一關(guān)鍵問題,相繼在國際上提出了“異質(zhì)結(jié)”(J. Am. Chem. Soc., 2008, DOI: 10.1021/ja8007825)、“異相結(jié)”(Angew. Chem. Int. Ed., 2012, DOI: 10.1002/anie.201207554)和“晶面間電荷分離”(Nat. Commun., 2013, DOI:10.1038/ncomms2401)等策略來促進(jìn)光生電荷分離。然而,由于電荷轉(zhuǎn)移主要發(fā)生在結(jié)界面上,光電極的光伏特性往往與界面能帶結(jié)構(gòu)和性質(zhì)緊密相關(guān)。但是截至目前,關(guān)于電荷在硅基光電極界面能級上的分離和傳輸機理并不明確。

 

大連化物所硅基材料用于光電化學(xué)分解水的研究取得新進(jìn)展

  在本工作中,研究人員發(fā)現(xiàn)存在于n-Si/ITO肖特基結(jié)界面上的施主態(tài)能級阻礙了光生空穴抵達(dá)電極表面參與氧化反應(yīng),并確認(rèn)了該施主態(tài)缺陷的能級位置;在n-SiITO之間引入薄層TiOx,并對其離散能級進(jìn)行精細(xì)調(diào)控,有效地減少了界面施主態(tài)能級,并實現(xiàn)n-Si/TiOx/ITO肖特基勢壘高度近理論值,從而極大地提高了光生電荷的分離和傳遞效率。其次,研究還證實了表面負(fù)載型NiOOH的雙重角色,一方面作為傳統(tǒng)認(rèn)知的水氧化催化劑促進(jìn)光生電荷的注入效率;另一方面修飾了該肖特基電極的表面功函,增加了勢壘高度和內(nèi)建電場強度,使可獲得的表面光電壓額外增加到215%倍。將n-Si/TiOx/ITO/NiOOH光電極水氧化反應(yīng)的起始電位從文獻(xiàn)報道的約1.1-1.2V降低至0.9V,為目前文獻(xiàn)報道的最低值。同時在一個較寬的電極電位下實現(xiàn)了光生電荷注入效率大于90%以及電荷分離效率接近100%。該研究結(jié)果,不僅適用于硅基光陽極,還可有望拓展應(yīng)用至其他半導(dǎo)體基光電器件的制備中。本項工作也是繼該團隊非晶硅的相關(guān)研究后(ChemSusChem, 2015, DOI: 10.1002/cssc.201501004)在單晶硅用于光電化學(xué)分解水方面取得的新進(jìn)展。 

    該工作得到了科技部973項目、國家自然科學(xué)基金和教育部能源材料化學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心(iChEM)的資助。

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